基本信息
文件名称:集成电路封装用低放射性球形氧化硅微粉及编制说明.pdf
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总页数:18 页
更新时间:2025-06-02
总字数:约2.52万字
文档摘要

ICS31.030

CCSL90

中华人民共和国国家标准

GB/TXXXXX—XXXX

集成电路封装用低放射性球形氧化硅微粉

Thespecificationsoflowradioactivesphericalsilicapowderforintegratedcircuit

packaging

(征求意见稿)

XXXX-XX-XX发布XXXX-XX-XX实施

国家市场监督管理总局发布

国家标准化管理委员会

GB/TXXXXX—202X

前言

本文件按照GB/T1.1—2020《标准化工作导则第1部分:标准化文件的结构和起草规则》的规定

起草。

请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。

本文件由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)提出并归口。

本文件起草单位:江苏联瑞新材料股份有限公司、联瑞新材(连云港)有限公司、国家硅材料深加工

产品质量监督检验中心等。

本文件主要起草人:。

I

GB/TXXXXX—202X

集成电路封装用低放射性球形氧化硅微粉

1范围

本文件规定了集成电路封装用低放射性球形氧化硅微粉的术语和定义、分类与标记、要求、试验方

法、检验规则及标志、包装、运输、贮存及质量证明书。

本文件适用于集成电路封装用低放射性球形氧化硅微粉。

2规范性引用文件

下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中,注日期的引用文件,

仅该日期对应的版本适用于本文件;不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本

文件。

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SJ/T3228.4电子产品用高纯石英砂第4部分_二氧化硅的测定

SN/T0483进出口石英石(砂)化学分析方法

3术语和定义

下列术语、定义和符号适用于本文件。

3.1

低放射性球形二氧化硅微粉Thespecificationsoflowradioactivesphericalsilicapowder

采用火焰法熔融法、高温熔融喷射法、高温氧化法、等离子体法或液相合成法等制备,放射性含量

低的球形二氧化硅微粉。

3.2

球形度degreeofsphericity