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文档摘要

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ICS29.045

H80/84

团体标准

T/IAWBSXXX-XXXX

碳化硅外延层载流子浓度测定非接触电容-电压法

siliconcarbideepitaxiallayers-determinationofcarrier

concentration-noncontactvoltages-capacitancemethod

征求意见稿）

（

XXXX-XX-XX发布XXXX-XX-XX实施

中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟发布

T/IAWBSXXX—XXXX

碳化硅外延层载流子浓度测定非接触电容-电压法

1范围

本文件规定了非接触电容-电压法测试碳化硅外延层载流子浓度的方法。

本文件适用于4H碳化硅外延层载流子浓度的测试，测试范围为114-3

×10cm～1×10

18-3

cm。

2规范性引用文件

下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中，注日期

的引用文件，仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括

所有的修改单）适用于本文件。

GB/T14264半导体材料术语

GB/T30656碳化硅单晶抛光片

3术语和定义

GB/T14264确立的术语和定义适用于本文件。

4原理

非接触电容电压法主要是通过电晕放电在表面喷洒电荷来给表面施加偏置电压，形成耗

尽层，电晕电荷偏压QC产生宽度为W的空间电荷区。空间电荷区的势垒电容（C）及其电

压（V）的变化率与势垒扩展宽度（W）及其相应的载流子浓度N(W)有如式（1）和式（2）

D

21

N(W)·（1）

D1

s?o)/

2

ΔQc2）

C（

ΔVCPD

式中：

N(W)——载流子浓度，单位为每立方厘米（cm-3）；

D

-19

q：电子电荷，1.602×10，单位为库仑（C）；

-14

?o:真空介电常数，其值为8.859×10，单位为法每厘米（F/cm）；

1