FIBFEB技术赋能三维环栅晶体管：加工工艺、性能优化与应用前景

一、引言

1.1研究背景与意义

在当今数字化时代，信息技术的飞速发展对半导体器件性能提出了日益严苛的要求。晶体管作为半导体芯片的核心元件，其性能的优劣直接关乎芯片乃至整个电子系统的运行效率与功能实现。从早期的双极型晶体管到金属-氧化物-半导体晶体管（MOSFET），再到后来的鳍式场效应晶体管（FinFET），晶体管技术不断演进，推动着集成电路技术持续向前发展，使得芯片的集成度、运算速度和功耗等性能指标得到显著改善。

然而，随着集成电路制程技术逐渐逼近物理极限，传统晶体管结构在进一步提升性能方面遭遇了诸多瓶颈。当晶体管尺