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文件名称:STMicroelectronics 系列:STM32F0 系列_(17).STM32F0系列Flash编程.docx
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更新时间:2025-06-02
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STM32F0系列Flash编程

1.Flash存储器概述

Flash存储器是STM32F0系列微控制器中的一种非易失性存储器,用于存储程序代码、常量数据和用户数据。Flash存储器的特点是掉电后数据不丢失,可以通过编程接口进行读写操作。STM32F0系列的Flash存储器通常分为两个区域:主Flash区域和系统Flash区域。

主Flash区域:用于存储用户程序和数据。

系统Flash区域:包含固件库、启动代码等系统程序。

Flash存储器的编程操作包括读取、擦除和写入。这些操作需要通过特定的寄存器和函数来实现。

2.Flash编程接口

STM32F0系列微控制器提供了Flash编程接口,用于对Flash存储器进行编程操作。主要的寄存器和函数如下:

FLASH_ACR:Flash访问控制寄存器,用于配置Flash存储器的访问参数。

FLASH_KEYR:Flash键寄存器,用于解锁Flash编程操作。

FLASH_CR:Flash控制寄存器,用于配置擦除和写入操作。

FLASH_SR:Flash状态寄存器,用于读取操作状态和错误标志。

FLASH_AR:Flash地址寄存器,用于指定要操作的Flash地址。

2.1Flash访问控制寄存器(FLASH_ACR)

Flash访问控制寄存器(FLASH_ACR)用于配置Flash存储器的访问参数,如预取缓冲区、等待状态等。这些参数可以提高程序的执行效率。

//配置Flash访问控制寄存器

voidconfigure_flash_access(void){

//启用预取缓冲区

FLASH-ACR|=FLASH_ACR_PRFTEN;

//设置等待状态为1,适用于72MHz时钟频率

FLASH-ACR|=FLASH_ACR_LATENCY_1;

}

2.2Flash键寄存器(FLASH_KEYR)

Flash键寄存器(FLASH_KEYR)用于解锁Flash编程操作。在进行任何Flash编程操作之前,必须先解锁Flash。

//解锁Flash编程操作

voidunlock_flash(void){

//写入解锁键

FLASH-KEYR=FLASH_KEY1;

FLASH-KEYR=FLASH_KEY2;

}

2.3Flash控制寄存器(FLASH_CR)

Flash控制寄存器(FLASH_CR)用于配置擦除和写入操作。常见的配置包括启动擦除操作、启动写入操作等。

//配置Flash控制寄存器

voidconfigure_flash_control(uint32_toperation){

//清除所有操作标志

FLASH-CR|=FLASH_CR_CLEAR_EOPI;

FLASH-CR|=FLASH_CR_CLEAR_WRPERR;

FLASH-CR|=FLASH_CR_CLEAR_PGERR;

FLASH-CR|=FLASH_CR_CLEAR_PGSERR;

//设置操作类型

FLASH-CR|=operation;

}

2.4Flash状态寄存器(FLASH_SR)

Flash状态寄存器(FLASH_SR)用于读取操作状态和错误标志。通过检查这些标志可以确保编程操作的正确性。

//检查Flash状态寄存器

uint32_tcheck_flash_status(void){

uint32_tstatus=FLASH-SR;

//清除所有状态标志

FLASH-SR|=FLASH_SR_CLEAR_EOPI;

FLASH-SR|=FLASH_SR_CLEAR_WRPERR;

FLASH-SR|=FLASH_SR_CLEAR_PGERR;

FLASH-SR|=FLASH_SR_CLEAR_PGSERR;

returnstatus;

}

2.5Flash地址寄存器(FLASH_AR)

Flash地址寄存器(FLASH_AR)用于指定要操作的Flash地址。在进行擦除或写入操作时,需要设置该寄存器。

//设置Flash地址寄存器

voidset_flash_address(uint32_taddress){

FLASH-AR=address;

}

3.Flash编程操作

3.1Flash擦除操作

Flash擦除操作用于清除Flash存储器中的数据。ST