多元阻变存储器的研制及其在逻辑与联想记忆领域的创新应用

一、引言

1.1研究背景与意义

随着信息技术的飞速发展，大数据、人工智能、物联网等新兴技术的兴起，对数据存储和处理能力提出了前所未有的挑战。传统的存储技术，如闪存（FlashMemory）和动态随机存取存储器（DRAM），在面对日益增长的数据量和复杂的计算需求时，逐渐显露出诸多局限性。例如，闪存的写入速度较慢，耐久性有限，且随着制程工艺的不断缩小，面临着严重的漏电问题；DRAM则是易失性存储器，需要持续供电来维持数据存储，功耗较高，同时其存储密度提升也逐渐逼近物理极限。因此，开发新型存储技术以满足未来信息技术发展的需求，成为了学术