双极性InGaAs纳米线：精准制备与红外探测性能的深度剖析

一、引言

1.1研究背景与意义

在半导体材料的大家族中，InGaAs纳米线凭借其独特的物理性质和卓越的性能，逐渐崭露头角，成为科研领域的研究焦点。InGaAs材料作为一种重要的III-V族化合物半导体，由铟（In）、镓（Ga）和砷（As）组成，其带隙可通过调整In和Ga的比例在0.35-1.42eV范围内灵活变化，这一特性使其在光电器件领域展现出巨大的应用潜力。

纳米线是一种在横向上被限制在100纳米以下（纵向没有限制）的一维结构材料，具有尺寸效应、表面效应、量子输运、结构稳定性等特性。InGaAs