中波碲镉汞电子型雪崩光电二极管：结构设计、性能评估与应用前景

一、引言

1.1研究背景与意义

在当今科技飞速发展的时代，光探测技术作为现代信息技术的关键支撑，广泛应用于众多领域，对推动社会进步和科技发展起着至关重要的作用。中波碲镉汞电子型雪崩光电二极管（APD）作为光探测领域的核心器件之一，因其独特的性能优势，受到了科研人员的广泛关注，在诸多前沿领域展现出了巨大的应用潜力。

碲镉汞（HgCdTe）材料具有一系列优异的特性，为中波碲镉汞电子型雪崩光电二极管的卓越性能奠定了坚实基础。其具有极高的光电转化效率，能够高效地将光信号转化为电信号，为后续的信号处理和分析提供了充足的信号强度。在中短波波段