2.雪崩光电二极管：在高的反向偏压下，借助强电场作用产生载流子倍增效应(即雪崩倍增效应)的一种高速光电器件避免二极管击穿是设计和制备雪崩光电二极管的关键第31页，共61页，星期日，2025年，2月5日8.4.5CCD器件电荷耦合器件(ChargeCoupledDevice，简称CCD)：70年代初由美国贝尔实验室研制成功的一种新型半导体器件CCD器件不同于其他器件的突出特点：以电荷作为信号，即信息用电荷量(称为电荷包)代表，而其他器件则都是以电压或电流作为信号的第32页，共61页，星期日，2025年，2月5日第33页，共61页，星期日，2025年，2月5日CCD器件的应用广泛用于影像传感、数字存储和信息处理等三个领域，其中最重要的应用是作为固态摄像器件，其次是作为存储器件第34页，共61页，星期日，2025年，2月5日新型可再生能源特别是太阳能，作为环保、可再生以及使用安全等优势将逐渐成为未来能源最主要的组成部分。光伏发电是太阳能利用的最佳方式之一。8.5半导体太阳能电池第35页，共61页，星期日，2025年，2月5日光伏发电有无可比拟的优点：（1）充分的清洁性；（2）绝对的安全性；（3）相对的广泛性；（4）确实的长寿命和免维护性；（5）初步的实用性；（6）资源的充足性及潜在的经济性等。第36页，共61页，星期日，2025年，2月5日吸收光辐射而产生电动势，它是半导体太阳能电池实现光电转换的理论基础产生光生伏特效应的两个基本条件：半导体材料对一定波长的入射光有足够大的光吸收系数，即要求入射光子的能量h?大于或等于半导体的禁带宽度Eg具有光生伏特结构，即有一个内建电场所对应的势垒区第37页，共61页，星期日，2025年，2月5日光照下P-N结光电效应：第38页，共61页，星期日，2025年，2月5日影响太阳能电池转换效率的主要因素有：表面太阳光的反射、pn结漏电流和寄生串联电阻等第39页，共61页，星期日，2025年，2月5日1、体单晶硅太阳能电池制备工艺第40页，共61页，星期日，2025年，2月5日第41页，共61页，星期日，2025年，2月5日太阳能电池组件组件线又叫封装线，封装是太阳能电池生产中的关键步骤，没有好的封装工艺，再好的电池也生产不出好的组件板。1、电池检测；2、正面焊接及检验；3、背面串接及检验；4、敷设（玻璃清洗、材料切割、玻璃预处理、敷设）；5、层压；6、去毛边（去边、清洗）；7、装边框（涂胶、装角键、冲孔、装框、擦洗余胶）；8、焊接接线盒；9、高压测试；10、组件测试及外观检验；11、包装入库敷设层次：玻璃、EVA、电池、EVA、TPT背膜第42页，共61页，星期日，2025年，2月5日2、体多晶硅太阳能电池制备工艺第43页，共61页，星期日，2025年，2月5日关于几种重要的微电子器件第1页，共61页，星期日，2025年，2月5日主要内容薄膜晶体管（TFT）光电器件（LED，LD）电荷耦合器件（CCD）第2页，共61页，星期日，2025年，2月5日8.0薄膜晶体管薄膜晶体管(ThinFilmTransistor，TFT)通常是指利用半导体薄膜材料制成的绝缘栅场效应晶体管非晶硅薄膜晶体管(a-SiTFT)多晶硅薄膜晶体管(poly-SiTFT)碳化硅薄膜晶体管(SiCTFT)第3页，共61页，星期日，2025年，2月5日1.TFT的结构1）立体结构型（底栅结构型）2）平面结构型（顶栅结构型）第4页，共61页，星期日，2025年，2月5日2.TFT的应用领域1）大面积平板显示──有源矩阵液晶显示(ActiveMatrixLiquidCrystalDisplay,缩写为AMLCD)2）电可擦除只读存储器(ROM)3）静态随机存储器(SRAM)4）线阵或面阵型图像传感器驱动电路第5页，共61页，星期日，2025年，2月5日3.液晶显示器1）驱动电压和功耗低、体积小、重量轻、无X射线辐射等一系列优点2）为了降低串扰，提高扫描线数，在每个像素上配置一个开关器件，形成有源矩阵液晶显示，消除了像素间的交叉串扰第6页，共61页，星期日，2025年，2月5日TFT有源矩阵的结构第7页，共61页，星期日，2025年，2月5日第8页，共61页，星期日，2025年，2月5日衬底：硅片、石英、玻璃为了降低成本，TFT采用廉价的衬底：玻璃玻