基于BCB钝化的InP基HEMT辐照加固结构的多维度仿真解析与性能优化研究

一、引言

1.1研究背景与意义

随着空间探索的不断深入以及卫星通信技术的飞速发展，对高性能、高可靠性的半导体器件需求日益增长。InP基高电子迁移率晶体管（HEMT）作为一种重要的化合物半导体器件，凭借其独特的材料特性和结构优势，在空间应用领域展现出巨大的潜力。

InP基HEMT具有高频率、高增益、低噪声和低功耗等优异特性。其电子迁移率高，能够实现高速的电子输运，这使得InP基HEMT在毫米波甚至太赫兹频段的应用中表现出色，成为实现高速数据传输和高精度探测的关键器件。在卫星通信中，InP基HEMT