第191页，共239页，星期日，2025年，2月5日(5)发光二极管：发光二极管是一种将电能变成光能的半导体器件。它具有一个PN结，与普通二极管一样，具有单向导电特性。当给发光二极管加上正向电压，有一定的电流流过时就会发光。发光二极管是由磷砷化镓、镓铝砷等半导体材料制成。发光的颜色分为：红光、黄光、绿光、三色变色发光。另外还有眼睛看不见的红外光二极管。第192页，共239页，星期日，2025年，2月5日第193页，共239页，星期日，2025年，2月5日(6).光敏二极管(又称为光电二极管)根据PN结反向特性可知，在一定反向电压范围内，反向电流很小且处于饱和状态。此时，如果无光照射PN结，则因本征激发产生的电子-空穴对数量有限，反向饱和电流保持不变，在光敏二极管中称为暗电流。当有光照射PN结时，结内将产生附加的大量电子空穴对（称之为光生载流子），使流过PN结的电流随着光照强度的增加而剧增，此时的反向电流称为光电流。第194页，共239页，星期日，2025年，2月5日第195页，共239页，星期日，2025年，2月5日第196页，共239页，星期日，2025年，2月5日为消除光敏二极管的表面漏电流，2DU管还有一个环极，环极接正电源，这种接法可使负载电阻中的暗电流很小(一般小于0.05μA)。第197页，共239页，星期日，2025年，2月5日（7）变容二极管变容二极管是利用PN结之间电容可变的原理制成的半导体器件，在高频调谐、通信等电路中作可变电容器使用。变容二极管属于反偏压二极管，改变其PN结上的反向偏压，即可改变PN结电容量。反向偏压越高，结电容则越少，反向偏压与结电容之间的关系是非线性的。
变容二极管有玻璃外壳封装（玻封）、塑料封装（塑封）、金属外壳封装（金封）和无引线表面封装等多种封装形式。通常，中小功率的变容二极管采用玻封、塑封或表面封装，而功率较大的变容二极管多采用金封。
常用的变容二极管常用的国产变容二极管有2CC系列和2CB系列，
常用的进口变容二极管有S系列、MV系列、KV系列、1T系列、1SV系列等。第198页，共239页，星期日，2025年，2月5日4.5.半导体器件型号命名方法：中国半导体器件型号命名方法(2)日本半导体分立器件型号命名方法(3)美国半导体分立器件型号命名方法(4)国际电子联合会半导体器件型号命名方法(5)欧洲早期半导体分立器件型号命名法第199页，共239页，星期日，2025年，2月5日4.6、二极管的极性判别小功率二极管的N极，在外表用色圈标出采用符号标志为“P”、“N”来确定二极管极性的长脚为正，短脚为负第200页，共239页，星期日，2025年，2月5日正向：硅管：表针指示位置在中间或中间偏右一点；锗管：表针指示在右端靠近满刻度的地方。对于检波二极管或锗小功率二极管，使用R×100挡，其值正向电阻约为100～1000Ω之间；对于硅管，约为几百欧到几千欧之间。第201页，共239页，星期日，2025年，2月5日反向：硅管：表针在左端基本不动，极靠近∞位置，锗管：表针从左端起动一点，但不应超过满刻度的1/4。第202页，共239页，星期日，2025年，2月5日晶体二极管第159页，共239页，星期日，2025年，2月5日第160页，共239页，星期日，2025年，2月5日第161页，共239页，星期日，2025年，2月5日4.1PN结与二极管的单向导电性用一定的工艺方法把P型和N型半导体紧密地结合在一起，就会在其交界面处形成空间电荷区叫PN结。当PN结两端加上不同极性的直流电压时，其导电性能将产生很大差异。这就是PN结单向导电性。第162页，共239页，星期日，2025年，2月5日半导体二极管基本结构将PN结加上相应的电极引线和管壳，就成为半导体二极管。按结构分，有点接触型和面接触型两类。点接触型表示符号正极负极金锑合金面接触型N型锗正极引线负极引线PN结底座铝合金小球引线触丝N型锗外壳第163页，共239页，星期日，2025年，2月5日伏安特性当外加正向电压很低时，电流很小，几乎为零。正向电压超过一定数值后，电流很快增大，将这一定数值的正向电压称为死区电压。通常，硅管的死区电压约为0.5V，锗管约为0.1V。导通时的正向压降，硅管约为0.6~0.7V，锗管约为0.2~0.3V。604020–0.02–0.0400.40.8–25–50I/mAU/V正向特性硅管的伏