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“微电子概论”试题
考试日期：年月日考试时间：120分钟
考试方式：闭卷任课教师：班号：
学生姓名：学号：
1.(20分)名词解释
(1)非本征半导体：
(2)载流子的迁移率：：
(3)扩散电容：
(4)表征工艺水平的“工艺节点”
(5)集成电路的“3D封装”
(6)沟道调制效应：
(7)版图设计规则
(8)标准单元
(9)FPGA
(10)工艺模拟
2.(10分)
(1)什么是“单边突变结”？
(2)如果减少轻掺杂一侧的掺杂浓度，将导致pn结二极管的下述特性增大还是减小（只要求说明“增大还是减小”，不需要解释）：
耗尽层宽度、反向饱和电流、扩散电容、势垒电容、击穿电压
3.(10分)
(1)说明双极晶体管注入效率和基区输运系数的含义。
(2)说明提高双极晶体管电流放大系数的主要途径。
4.(10分)下图是四种MOSFET的转移特性曲线，请说明每根曲线对应的器件类型（n沟或者p沟）以及工作模式（增强型或者耗尽型），并要求在图中标示出阈值电压和亚阈区。
5.(10分)
(1)说明集成电路制造工艺中“扩散掺杂”的原理。
(2)说明表征掺杂工艺的参数“方块电阻”的含义。
(3)说明“方块电阻”在集成电路设计和制造中的作用。
6.(10分)下图是常规pn结隔离集成电路中npn晶体管的版图（版图中未包括金属互连线层次）和剖面示意图
(1)在版图中标识出埋层、隔离、基区、发射区四个层次版图。
在剖面图上标识出埋层、隔离墙、隔离岛、基极、发射极、集电极。
(2)说明与该剖面图对应的工艺流程。
7.(10分)绘制纵向pnp、横向pnp晶体管剖面结构图，并简述其特性。
8.(10分)简要说明什么是只读存储器？从应用角度解释掩膜ROM、PROM、Flashmemory的优缺点及其常见应用场合。
9.(10分)
(1)阐述什么是电路综合？解释电路综合3个过程，并结合电路综合过程说明约束和单元库在集成电路设计中的作用。
(2)结合数字集成电路特点，说明集成电路工艺角对时序的影响，分析不同工艺角（ff、ss）和时序分析的相互关系。