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文件名称:基于CVD法的高质量单层氮化硼薄膜制备与介电屏蔽特性探究.docx
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更新时间:2025-06-05
总字数:约3.04万字
文档摘要

基于CVD法的高质量单层氮化硼薄膜制备与介电屏蔽特性探究

一、引言

1.1研究背景与意义

在材料科学的前沿领域,二维材料以其独特的原子结构和优异的物理化学性质,成为了研究的热点。氮化硼薄膜作为二维材料家族中的重要成员,近年来受到了广泛的关注。氮化硼(BN)是一种由硼原子和氮原子组成的无机化合物,具有多种晶体结构,其中六方氮化硼(h-BN)因其结构与石墨相似,又被称为“白色石墨”,呈现出层状结构,层内硼原子和氮原子通过共价键紧密连接,而层与层之间则依靠较弱的范德华力相互作用。这种特殊的结构赋予了h-BN许多独特的性质,使其在众多领域展现出巨大的应用潜力。

从物理性质上看,氮化硼