高性能4H-SiCIGBT器件：设计创新与制备技术突破

一、引言

1.1研究背景与意义

在当今科技飞速发展的时代，电力电子技术作为现代工业的核心支撑，广泛应用于新能源汽车、智能电网、轨道交通、航空航天等众多关键领域，对人们的生产生活方式产生了深远影响，其技术水平已成为衡量一个国家科技发展水平和综合实力的重要标志，因此备受世界各国重视。半导体器件作为电力电子技术的基础，其性能与所使用的材料密切相关。在半导体材料的发展历程中，经历了从第一代硅（Si）、锗（Ge）等传统半导体材料，到第二代砷化镓（GaAs）和磷化铟（InP）等窄禁带半导体材料，再到以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）和氮化铝（A