蓝宝石衬底上AlGaN/GaN二维电子气结构剥离技术的探索与突破

一、引言

1.1研究背景与意义

在现代半导体技术的快速发展进程中，AlGaN/GaN二维电子气结构凭借其卓越的性能，成为了研究的焦点。AlGaN/GaN二维电子气结构具备宽禁带、高电子迁移率、高饱和电子速度以及出色的热导率等优势，这些特性使其在高频、大功率和高温电子器件领域展现出巨大的应用潜力。在5G通信基站中，GaN基射频器件能够实现更高的频率和更大的功率输出，有效提升通信质量和覆盖范围；在新能源汽车的电力电子系统里，AlGaN/GaN功率器件可显著提高能量转换效率，减轻系统重量，对新能源汽车的发展意义重大。

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