Cr2Ge2Te6基场效应晶体管：结构、性能与调控策略的深度剖析

一、引言

1.1研究背景与意义

在信息技术飞速发展的当下，电子产品不断向小型化、高性能化方向迈进，对作为核心元件的晶体管性能提出了极高要求。传统硅基晶体管受材料和物理特性的制约，其性能提升空间逐渐收窄，难以满足未来电子设备对更高速度、更低功耗和更高集成度的需求，这促使科研人员积极探索新型晶体管材料和结构。

随着二维材料研究的深入，二维磁性半导体材料因其独特的原子结构和物理性质，为晶体管的发展开辟了新方向。其中，Cr?Ge?Te?作为一种典型的二维磁性半导体，展现出诸多优异特性，在构建高性能场效应晶体管方面具有巨大潜力。

Cr?