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文件名称:基于GaN HEMT感光栅光电探测器:制备工艺、仿真分析与性能优化.docx
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总页数:33 页
更新时间:2025-06-07
总字数:约3.06万字
文档摘要

基于GaNHEMT感光栅光电探测器:制备工艺、仿真分析与性能优化

一、引言

1.1研究背景与意义

在当今科技飞速发展的时代,光电子技术已成为推动众多领域进步的关键力量。作为光电子技术的核心组成部分,光电探测器肩负着将光信号精准转换为电信号的重任,其性能优劣直接关乎整个光电子系统的运行成效。从日常的光通信设备,到前沿的光电测量仪器,再到关乎生命健康的医疗成像系统,光电探测器都扮演着不可或缺的角色,成为现代科技发展中不可或缺的关键器件。

随着应用场景的日益多元化和复杂化,对光电探测器的性能提出了愈发严苛的要求。高灵敏度、高速度以及低噪声,成为衡量其性能的关键指标。在这样的背景下,感光栅光电探测