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文件名称:0.18um BCD工艺下宽带射频开关关键技术的深度剖析与创新实践.docx
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总页数:26 页
更新时间:2025-06-07
总字数:约3.26万字
文档摘要

0.18umBCD工艺下宽带射频开关关键技术的深度剖析与创新实践

一、引言

1.1研究背景与意义

在半导体制造领域,0.18umBCD工艺占据着举足轻重的地位。BCD(Bipolar-CMOS-DMOS)工艺是一种将双极型晶体管(Bipolar)、互补金属氧化物半导体(CMOS)和双扩散金属氧化物半导体(DMOS)这三种器件制作在同一芯片上的技术。它融合了双极型器件高跨导、强驱动能力和CMOS器件低功耗、高集成度以及DMOS器件高耐压的优势,为实现复杂的系统级芯片(SoC)提供了可能,广泛应用于电源管理、汽车电子、智能传感器等众多领域。

随着半导体技术的不断发展,特征尺寸的缩