稀土掺杂Al???In?N薄膜的制备工艺与光电性能调控研究

一、引言

1.1研究背景与意义

在现代光电子器件领域，半导体材料的性能提升与创新始终是推动技术进步的核心要素。Al???In?N薄膜作为一种III族-Ⅴ族结构的化合物半导体材料，凭借其独特的物理性质，近年来在学术界和工业界都吸引了广泛关注。

Al???In?N合金由铝（Al）、铟（In）和氮（N）组成，其能隙宽度可在1.9eV到6.2eV之间灵活调节，这一特性使得它在光电器件应用中展现出巨大潜力。通过精确控制铝和铟的比例，能够实现对其物理、电学和光学性质的有效调控。从物理性质上看，随着Al和In比例的变