皮秒激光调控SiC半导体发光性质：机理、影响与应用前景

一、引言

1.1研究背景与意义

半导体材料作为现代信息技术的基石，在电子学领域发挥着举足轻重的作用。自20世纪中叶以来，半导体技术的迅猛发展深刻地改变了人类社会的面貌，从日常使用的电子设备到高端的通信、能源、医疗等领域，半导体器件无处不在。随着科技的不断进步，对半导体材料性能的要求也日益严苛，传统的半导体材料在面对高温、高频、高功率等极端应用场景时，逐渐显露出其性能上的局限性。在此背景下，碳化硅（SiC）半导体凭借其卓越的物理性质，成为了近年来半导体领域的研究热点之一。

SiC半导体是一种宽带隙化合物半导体，由硅（Si）和碳（C）