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文件名称:探寻MoS?阻变存储器:结构、机理与性能优化.docx
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更新时间:2025-06-08
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文档摘要

探寻MoS?阻变存储器:结构、机理与性能优化

一、引言

1.1研究背景与意义

在信息时代,数据的存储和处理能力是衡量一个国家科技实力和经济发展水平的重要标志。随着信息技术的飞速发展,人们对存储技术的要求也越来越高,高速、高密度和低功耗成为了存储技术发展的关键方向。

回顾存储技术的发展历程,从早期的磁存储技术,如磁带、硬盘,到后来的半导体存储技术,如随机存取存储器(RandomAccessMemory,RAM)、闪存(FlashMemory),每一次技术的突破都带来了存储性能的大幅提升。磁存储技术利用磁性材料的磁化方向来存储数据,具有存储容量大、成本低的优点,但读写速度相对较慢。半导体