基本信息

---

下载

文档摘要

---

剖析GaN基电路振荡根源与稳定性优化策略

一、引言

1.1研究背景与意义

随着科技的飞速发展，半导体材料在现代电子系统中扮演着举足轻重的角色。作为第三代半导体材料的杰出代表，氮化镓（GalliumNitride，简称GaN）凭借其独特的物理性质，如宽禁带、高电子迁移率、高击穿电场和高热导率等，在众多领域展现出了巨大的应用潜力，引发了学术界和产业界的广泛关注。

在高频和高功率电子器件领域，GaN得到了极为广泛的应用。在通信领域，GaN功率放大器凭借其能够在高频和高功率下稳定运行的特性，被大量应用于4G、5G基站、雷达、卫星通信等系统中。与传统的硅基功率放大器相比，GaN功率放大器