电力电子技术及应用模考试题与参考答案解析
一、单选题（共50题，每题1分，共50分）
1.三相全控桥式变流电路工作于有源逆变状态，输出电压平均值Ud的表达式是（）
A、Ud=-2.34U2cosβ
B、Ud=1.17U2cosβ
C、Ud=2.34U2cosβ
D、Ud=-0.9U2cosβ
正确答案：A
答案解析：三相全控桥式变流电路工作于有源逆变状态时，输出电压平均值Ud=-2.34U2cosβ。其中U2是变压器二次侧相电压有效值，β是逆变角。
2.三相可控整流电路中最基本的形式为(____)。
A、双反星形可控整流电路
B、十二脉波可控整流电路
C、三相半波可控整流电路
D、三相桥式全控整流电路
正确答案：C
答案解析：三相半波可控整流电路是三相可控整流电路中最基本的形式，它由三只晶闸管分别接在三相电源的每一相上，负载接成星形，通过控制晶闸管的触发角来实现对输出电压的控制。其他几种电路形式都是在三相半波可控整流电路的基础上发展而来的。三相桥式全控整流电路是应用较为广泛的一种，但不是最基本的；双反星形可控整流电路适用于低电压大电流的场合；十二脉波可控整流电路是通过特殊的连接方式来减少谐波含量等，也不是最基本形式。
3.双向晶闸管的触发方式中，灵敏度最高的是(____)。
A、Ⅰ＋
B、Ⅰ－
C、Ⅲ＋
D、Ⅲ－
正确答案：A
4.逆导晶闸管是将晶闸管和二极管(____)使用。
A、串联
B、正串联
C、并联
D、反并联
正确答案：D
5.三相半波可控整流电路，输出到负载的平均电压波形脉动频率为（）HZ。
A、60
B、120
C、150
D、180
正确答案：C
答案解析：三相半波可控整流电路，变压器二次侧相电压的频率为50Hz，对于三相半波可控整流电路，输出到负载的平均电压波形脉动频率为3×50=150Hz，所以脉动频率大于150Hz。
6.当温度升高时，晶闸管的正反向漏电流会（）
A、不确定
B、不变
C、减小
D、增加
正确答案：D
答案解析：晶闸管具有热敏特性，当温度升高时，其内部载流子的运动加剧，更容易形成导电通道，从而导致正反向漏电流增加。
7.若测得晶闸管的UDRM为835V,URRM为976V，则额定电压应定义为(____)。
A、750V
B、800V
C、680V
D、875V
正确答案：B
答案解析：额定电压选取晶闸管的UDRM和URRM中较小值再取整。这里UDRM为835V，URRM为976V，较小值是835V，取整后为800V，所以额定电压应定义为800V。
8.电力晶体管的三个电极分别为(____)。
A、基极、集电极、发射极
B、阳极、门极、基极
C、阴极、基极、发射极
D、集电极、门极、阳极
正确答案：A
答案解析：电力晶体管属于双极型晶体管，三个电极分别为基极、集电极、发射极，所以答案是[A、]。
9.三相交流调压电路负载可接成(____)。
A、三角形
B、星形
C、以上皆可
D、以上皆不可
正确答案：C
答案解析：三相交流调压电路的负载既可以接成星形，也可以接成三角形。接成星形时，适用于要求输出电压较低、负载电流较小的场合；接成三角形时，适用于要求输出电压较高、负载电流较大的场合。
10.IGBT开关速度（）电力MOSFET。
A、大于1
B、等于1
C、小于1
D、不确定
正确答案：C
答案解析：IGBT的开关速度小于电力MOSFET。IGBT综合了BJT和MOSFET的优点，但其开关速度相对电力MOSFET来说较慢，电力MOSFET具有更快的开关速度。
11.为什么选用晶闸管元件的额定电压为实际工作时晶闸管所承受峰值电压的2～3倍？(____)。
A、环境温度降低
B、环境温度升高
C、环境温度正常
D、散热良好
正确答案：B
12.当负载的感抗wLd和电阻Rd的大小相比不可忽略时称之为(____)。
A、电容性负载
B、反电动势负载
C、电感性负载
D、电阻性负载
正确答案：C
答案解析：当负载的感抗\(wLd\)和电阻\(Rd\)的大小相比不可忽略时，说明感抗对负载特性有显著影响，此时负载呈现电感性，称之为电感性负载。
13.双向晶闸管的型号为KS100-9，其中断态重复峰值电压为（）V。
A、600
B、900
C、200
D、100
正确答案：B
14.下列哪项不是晶闸管的关断方式(____)。
A、去掉晶闸管的阳极电压
B、给晶闸管阳极加反向电压
C、去掉门极电压
D、降低正向阳极电压
正确答案：C
答案解析：当去掉门极电压时，晶闸管不会立即关断，只有当阳极电流小于维持电流时晶闸管才会关断，所以去掉门极电压不是晶闸管的关断方式；去掉晶闸管的阳极电压、给晶闸管阳极加反向电压、降低正向阳极电压都可以使晶闸管关断。
15.带电