上海交通大学硕士材料科学根底真题2025年
(总分：150.00，做题时间：90分钟)
一、单项选择题(总题数：25，分数：75.00)
化学键中既无方向性又无饱和性的为 。
〔分数：3.00〕
共价键
金属键 √
离子键解析：
立方构造的(112)与(113)晶面同属于 晶带轴。
〔分数：3.00〕
√
B.
C.
解析：
晶体的对称轴中不存在 。
〔分数：3.00〕
A.3次对称轴
B.4次对称轴
C.5次对称轴 √解析：
半结晶期是指 。
〔分数：3.00〕
结晶时间进展到一半时对应的时间B.固相量为一半时对应的时间√C.上述(A)和
解析：
fcc晶体假设以100面为外外表，则外表上每个原子的最邻近原子数为 个。
〔分数：3.00〕
A.12B.6
C.8√解析：
最难以形成非晶态构造的是 。
〔分数：3.00〕
陶瓷
金属 √
聚合物解析：
下面关于Schottky和Frenkel缺陷的表述中，错误的为 。
〔分数：3.00〕
Schottky缺陷同时包含空位和间隙原子√
Frenkel缺陷的形成能通常较Schottky缺陷大
同温度下，通常Schottky缺陷的浓度大于Frenkel缺陷解析：
以下Burgers矢量可能表示了简洁立方晶体中的全位错：
〔分数：3.00〕A.[100]√B.1/2[110]C.1/3[111]
解析：
下面关于位错应力场的表述中，正确的选项是 。
〔分数：3.00〕
螺型位错的应力场中正应力重量全为零√
刃型位错的应力场中正应力重量全为零C.刃型位错的应力场中切应力重量全为零
解析：
能进展滑移的位错为 。
〔分数：3.00〕
肖克利不全位错 √
弗兰克不全位错C.面角位错
解析：
bf([111]∥[110]，，则在半共格界面上沿[111]方向上的位错间距为 。
b
f
([111]∥[110]，
，则在
半共格界面上沿[111]方向上的位错间距为 。
b f b
〔分数：3.00〕
√
B.
C.
解析：
12.共晶层片(α+β)共在特定过冷度下生长时，集中所消耗的驱动力约为 。
〔分数：3.00〕
固相与液相自由能差的全部
固相与液相自由能差的1/2√
上述(A)和解析：
由纯A和A_B固溶体形成的互集中偶(柯肯达尔效应)，以下表述正确的选项是 。由纯
由纯A和A_B固溶体形成的互集中偶(柯肯达尔效应)，以下表述正确的选项是 。
A.俣野面两侧的集中原子其化学势相等：〔分数：3.00〕
A.俣野面两侧的集中原子其化学势相等：
B.该集中为上坡集中
C.空位迁移方向与标记面漂移方向全都√解析：
高分子材料存在不同构象的主要缘由是主链上的碳原子可以 。
〔分数：3.00〕
π键的自旋转
σ键的自旋转 √
氢键的自旋转解析：
离子化合物中，阳离子比阴离子集中力量强的缘由在于 。
〔分数：3.00〕
阴离子的半径较大√
阳离子更简洁形成电荷缺陷C.阳离子的原子价与阴离子不同
解析：
室温下橡胶与塑料的不同柔顺性说明 。
〔分数：3.00〕
塑料的链段可动性比橡胶低√
塑料的链节比橡胶长
塑料比橡胶的相对分子质量大解析：
包辛格效应属于 。
〔分数：3.00〕
塑性形变现象
弹性的不完整性现象√
黏弹性现象解析：
单晶材料压缩时假设发生扭折，则以下表述错误的为 。
〔分数：3.00〕
扭折区域的Schmid因子最大√
hcp构造较fcc构造简洁产生扭折C.扭折区域可能产生孪晶
解析：
多晶体塑性变形时，至少需要 独立的滑移系。
〔分数：3.00〕
A.3个
B.8个
C.5个 √解析：
下面关于回复与再结晶机制的差异中，正确的为 。
〔分数：3.00〕
回复不需要孕育期，而再结晶需要孕育期√
回复不需要激活能，而再结晶需要激活能
回复不能降低形变态的应变能，而再结晶将降低形变态的应变能解析：
下面关于对再结晶温度影响的说法中，错误的为 。
〔分数：3.00〕
冷形变程度越小则再结晶温度越高
在同样的冷变形程度下，原始晶粒尺寸越小则再结晶温度越低C.其次相粒子分布越弥散则再结晶温度越低√
解析：
晶体长大时如生长速率与动态过冷度成正比，则
〔分数：3.00〕
该晶体与液相的界面为粗糙界面√
该晶体与液相的界面为光滑界面C.该晶体藉螺型位错长大
解析：
由A-B-C组元形成的三元相图，其等边成分三角形(ABC)内平行于AB的直线上任意一点表示 。
〔分数：3.00〕
A.C组元的浓度为定值√
B.B与A组元的浓度比为定值
C.上述(A)和解析：
包晶成分的的合金在平衡凝固时(L+α→β) 。
〔分数：3.00〕
高熔点组元由α向β