P型栅极高电子迁移率晶体管可靠性的多维度解析与提升策略研究

一、引言

1.1研究背景与意义

在现代电子领域，高电子迁移率晶体管（HEMT）作为一种关键的半导体器件，凭借其独特的结构和优异的性能，占据着举足轻重的地位。HEMT采用两种具有不同能隙的材料形成异质结，从而为载流子提供沟道，其具备特定的开启电压、较低的导通电阻、较低的反向泄漏电流和较高的击穿电压，这些特性使其在减少使用过程中的功率损失方面表现出色，是大多数电力电子产品中不可或缺的器件。而P型栅极高电子迁移率晶体管（P-GaNHEMT）作为HEMT的重要分支，更是以其高效率、高频率特性及低功耗等显著优点，在众多领域得