ICS31.260
CCSL50
ZOIA
中关村光电产业协会团体标准
T/XXXXXXX—XXXX
大深宽比后硅通孔技术要求
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（征求意见稿）
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XXXX-XX-XX发布XXXX-XX-XX实施
中关村光电产业而协会??发布
T/XXXXXXX—XXXX
大深宽比后硅通孔技术要求
1范围
本标准提供了大深宽比后硅通孔（TSV-Last）的技术要求指导，给出了MEMS传感器晶圆级封装过
程中大深宽比斜孔TSV-Last的总体要求，对大深宽比斜孔TSV-Last的工艺能力因素作了详细说明，为
MEMS传感器晶圆级封装中大深宽比斜孔TSV-Last工艺需求提供了指引方向
本标准适用于MEMS传感器晶圆级封装中大深宽比斜孔TSV-Last工艺，以及适用于MEMS传感器及
其他芯片的大深宽比斜孔TSV-Last封装工艺需求。
2规范性引用文件
下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中，注日期的引用文件，
仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本
文件。
3术语和定义
下列术语和定义适用于本文件。
3.1.1MEMS
微机电系统(Micro-Electro-MechanicalSystems)的简称，是一种将微电子和微机械技术相结合的电子
器件
3.1.2MEMS晶圆级封装
MEMS晶圆级封装是将MEMS裸芯片以整片晶圆进行再加工及组合构成满足工作环境（可靠性）的
制造技术。
3.1.3TSV
硅通孔(ThroughSiliconVia)的简称，是一种穿过硅芯片进行垂直电互连的2.5D/3D封装工艺。
3.1.4TSV-Last
后硅通孔(ThroughSiliconVia-Last)工艺的简称，将TSV放在封装生产阶段,通常被称作Via-last,该方
案可以不改变现有集成电路流程和设计。
4大深宽比后硅通孔技术要求
下列条目适用于本文件。
4.1.1大深宽比后硅通孔技术背景
硅通孔（TSV）技术可以实现芯片与芯片、晶圆与晶圆间的垂直导通，被广泛用于MEMS传感器及
其他各类传感器芯片的2.5D/3D封装中。后硅通孔（TSV-Last）方案将TSV放在封装生产阶段，可以不
改变现有集成电路流程和设计，节约芯片面积。业界常用的大深宽比TSV-Last技术采用Bosch刻蚀工艺，
即通过刻蚀-保护循环实现高选择性、大深宽比直孔TSV刻蚀，再使用填孔铜技术和重布线（RDL）技
术实现芯片的垂直互连。
4.1.2本标准的技术差异
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Bosch工艺所得TSV虽然具有理想的大深宽比，但通过刻蚀-保护循环工艺所得通孔形状都是直孔，
通孔侧壁的角度为90°直角，通孔侧壁难以植入金属种子层，因此只能通过填孔铜技术将TSV完全填充，
在芯片内部有可能产生应力或其他问题，最终影响芯片性能及可靠性。本标准针对MEMS传感器芯片晶
圆级封装中大深宽比TSV的尺寸需求，开发刻蚀/保护同步进行的大深宽比斜孔TSV-Last混合刻蚀技术，
并基于已有验证结果提出大深宽比斜孔TSV-Last技术要求及建议。
4.1.3大深宽比斜孔TSV-Last规格要求
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