Thankyou!绝缘栅双极晶体管（IGBT）绝缘栅双极晶体管（IGBT）功率场效应管简称IGBT，它是一种复合器件，其输入控制部分为MOSFET，输出级为双极型三极晶体管。功率场效应管特点：高输入阻抗、压控、驱动功率小、开关速度快、饱和压降低、容量较大及安全工作区域宽。绝缘栅双极晶体管（IGBT）功率场效应管是单极电压控制型开关器件。绝缘栅双极晶体管（IGBT）IGBT的结构IGBT的工作原理IGBT的主要特性IGBT的栅极驱动电路IGBT的锁定效应IGBT的主要参数IGBT的安全工作区IGBT的结构IGBT的结构Page·*Page·*功率场效应晶体管功率场效应晶体管功率场效应管是一种单极型的电压控制器件。它具有自关断能力、驱动功率小、开关速度快等特点。功率场效应晶体管1功率场效应管的结构和工作原理2功率场效应管的静态特性和主要参数3功率场效应管的动态特性和主要参数4功率场效应管的安全工作区5功率场效应管的栅极驱动电路6功率场效应管模块7功率场效应管主要特点8功率场效应管在使用中静电保护措施功率场效应管的结构和工作原理 功率场效应管按导电沟道可分为P沟道和N沟道，同时又有耗尽型和增强型之分。在电力电子装置中，主要应用N沟道增强型。功率场效应管采用多单元集成结构，一个器件由许多小的MOSFET组成。功率场效应管的结构和工作原理功率场效管内部结构功率场效应管的结构和工作原理当UGS＞0时，内沟道出现，管子开通，漏、源极间流过电流ID。当UGS＜0时，内沟道消失，管子关断，漏、源极间没有电流ID。功率场效应管的结构和工作原理功率场效应管的电极：漏极D、源极S和栅极G。功率场效应管的静态特性和主要参数功率场效应管的静态特性：输出特性转移特性静态特性对应的主要参数有：漏极击穿电压漏极额定电压漏极额定电流栅极开启电压功率场效应管的静态特性和主要参数静态特性主要参数静态特性（1）输出特性静态特性（2）转移特性主要参数 （1）漏极击穿电压BUD是不使器件击穿的极限参数，它大于漏极电压额定值。（2）漏极额定电压UDUD是器件的标称额定值。 （3）漏极电流ID和IDM ID是漏极直流电流的额定参数；IDM是漏极脉冲电流幅值。主要参数（4）栅极开启电压UT UT是开通功率场效应管的栅-源电压，它为转移特性的特性曲线与横轴的交点。（5）通态电阻Ron功率场效应管由可调电阻区进入饱和区时漏源极间直流电阻为通态电阻Ron。功率场效应管的动态特性和主要参数动态特性动态参数动态特性动态参数 （1）极间电容 功率场效应管的3个极之间存在极间电容CGS、CGD、CDS。（2）漏源电压上升率 器件的动态特性还受漏源电压上升率的限制，过高的du/dt可能导致电路性能变差，甚至引起器件损坏。功率场效应管的安全工作区正向偏置安全工作区由四条边界极限所包围：（Ⅰ）漏源通态电阻Ron限制线（Ⅱ）最大漏极电流IDM限制线（Ⅲ）最大功耗PDM限制线（Ⅳ）最大漏源电压UDSM线。开关安全工作区 开关安全工作区由最大漏极峰值电流IDM、最小漏源击穿电压BUDS和最高结温确定。功率场效应管的栅极驱动电路栅极驱动的特点及其要求驱动电路实例栅极驱动的特点电路简单可用TTL电路或CMOS电路直接驱动。输出功率由输入电容和门极电压的大小决定。开关速度由输入电容的充放电速度决定。栅极驱动的要求1、触发脉冲要具有足够快的上升和下降速度。2、开通时以低电阻对栅极电容充电，关断