碳化硅单晶衬底超精密抛光关键技术探索：工艺、设备与创新突破

一、引言

1.1研究背景与意义

在半导体领域持续演进的进程中，碳化硅（SiC）单晶衬底作为第三代半导体材料的典型代表，凭借其一系列卓越特性，在现代电子技术发展中占据着举足轻重的地位。相较于传统的硅基半导体材料，碳化硅拥有更为出色的物理性能，如高达3.3eV的宽禁带宽度，这一特性赋予其在高温环境下稳定运行的能力，使其能够有效抵御热激发产生的电子-空穴对，极大地拓展了其在高温应用场景中的潜力；其击穿电场强度达到0.8-3.0MV/cm，意味着碳化硅器件能够承受更高的电压，在高压电力电子领域展现出独特优势；热导率处于3.0