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摘要

随着光电器件向小尺寸、低功耗、高性能的方向发展，对于光电探测器性能的

要求越来越高。二硫化锡作为N型层状二维材料，具有高迁移率、宽禁带及高的光

吸收系数等特性，在光电探测领域中具有广阔应用前景。然而，二硫化锡光电探测

器仍然存在光响应度低、对微弱信号的探测能力弱、高光响应度和快速响应速度不

可兼顾等缺点。鉴于此，本文通过铬元素掺杂提高二硫化锡光电探测器的光响应度，

然后通过构建二硫化锡/铬掺杂二硫化锡同质结同时提高光电探测器的光响应度和响

应速度，主要内容为：

1.二硫化锡薄膜光