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文档摘要

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氮化镓基柔性电子器件：原理、制备、应用与挑战

一、引言

1.1研究背景与意义

在现代电子领域持续创新与发展的进程中，新型半导体材料与器件结构的研究始终是推动技术进步的核心动力。氮化镓（GaN）作为第三代半导体材料的杰出代表，凭借其卓越的物理性质，如宽禁带（约3.4eV）、高击穿电场（约3.3MV/cm）、高电子迁移率（约2000cm2/Vs）和高热导率（约1.3W/cmK），在多个关键领域展现出了传统半导体材料难以企及的优势。这些特性使得氮化镓在高功率、高频以及高温环境下的应用中表现出色，为电力电子、射频通信、光电子等领域带来了革命性的变化。

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