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文件名称：合肥工业大学《半导体器件物理》试卷标准答案及评分细则.docx
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更新时间：2025-06-14
总字数：约1.23千字
文档摘要
《半导体器件物理》试卷〔一〕标准答案及评分细则一、填空〔共32分，每空2分〕
1、PN结电容可分为集中电容和过渡区电容两种，它们之间的主要区分在于集中电容产生于过渡区外的一个集中长度范围内，其机理为少子的充放电，而过渡区电容产生于空间电荷区，其机理为多子的注入和耗尽。
2、当MOSFET器件尺寸缩小时会对其阈值电压VT产生影响，具体地，对于短沟道器件对
VT的影响为下降，对于窄沟道器件对VT的影响为上升。
3、在NPN型BJT中其集电极电流IC受VBE电压掌握，其基极电流IB受VBE电压掌握。
4、硅-绝缘体SOI器件可用标准的MOS工艺制备，该类器件