超深亚微米VLSI中层次化SI物理设计流程的应用与探索

一、引言

1.1研究背景与意义

自1958年杰克?基尔比（JackKilby）发明集成电路以来，集成电路技术经历了飞速发展，从最初的小规模集成电路（SSI）逐步演进到中规模集成电路（MSI）、大规模集成电路（LSI），直至如今的超大规模集成电路（VLSI）。这一发展历程遵循着著名的摩尔定律，即芯片上可容纳的晶体管数目大约每18-24个月便会翻一番，与此同时，芯片的性能不断提升，成本却持续降低。在这一趋势的推动下，集成电路的特征尺寸不断缩小，如今已进入超深亚微米时代，甚至朝着纳米级迈进。

随着集成电路进入超深亚微米领域，信号完