C3N纳米带电子输运性质：理论、影响因素与应用前景探究

一、引言

1.1研究背景与意义

在半导体材料的发展历程中，新型半导体材料的涌现不断推动着电子器件的革新。自以石墨烯为代表的碳基二维材料被发现以来，因其独特的物理性质受到了广泛关注。然而，石墨烯零带隙的半导体性质，使其在微电子器件领域的应用受到了极大限制。在此背景下，新型碳基二维半导体材料C3N应运而生。

2014年1月，中国科学院上海微系统与信息技术研究所成功制备出由碳和氮原子构成的类石墨烯蜂窝状无孔有序结构半导体C3N单层材料。C3N材料具有诸多优异性能，其电学、光学、热学和力学性能可与碳纳米管和石墨烯相媲美，同时具