ZnO纳米线界面掺杂调控与BP/InSe异质结偏振光电响应的深度探索

一、引言

1.1研究背景与意义

随着科技的飞速发展，低维材料因其独特的物理性质和潜在的应用价值，成为了材料科学领域的研究热点。低维体系由于载流子波函数在某些维度方向上受限，导致出现小尺寸效应、表面效应、量子隧穿、库伦阻塞等效应，进而会显著影响体系的力学、光学、电学和热学性能。同时，由于低维体系具有较大的比表面积，在构成器件时形成的界面也会对器件性能产生重要影响。因此，对低维体系性质的探索，不仅可以拓宽对未知领域的理解，还对未来器件的设计与优化起到至关重要的作用。

一维ZnO纳米线和二维层状材料（如黑磷（BP）、InS