ICS77.040
CCSH21
中华人民共和国国家标准
GB/TXXXXX—XXXX
碳化硅单晶片厚度和平整度测试方法
Testmethodforthicknessandfltanessofmonocrystallinesiliconcarbidewafers
（预审稿）
XXXX-XX-XX发布XXXX-XX-XX实施
GB/TXXXXX—XXXX
前言
本文件按照GB/T1.1—2020《标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的规定
起草。
本文件代替GB/T32278-2015《碳化硅单晶片平整度测试方法》和GB/T30867-2014《碳化硅单晶片
厚度和总厚度变化测试方法》，与GB/T32278、GB/T30867相比，除结构调整和编辑性改动外，主要技
术变化如下：
a)更改了适用范围（见第1章，GB/T32278-2015版的第1章、GB/T30867-2014的第1章）；
b)更改了测试环境的要求；（见第6章和第16章，GB/T32278-2015版的第7章，GB/T30867-2014
的第7章）；
c)仪器设备进行了更改；（见第7章和第15章，GB/T32278-2015版的第5章、GB/T30867-2014的
第5章）；
d)更改了测试程序内容；（见第17章，GB/T32278-2015版的第9章）；
请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。
本文件由全国半导体设备和材料标准化技术委员会（SAC/TC203）与全国半导体设备和材料标准化
技术委员会材料分技术委员会（SAC/TC203/SC2）共同提出并归口。
本文件起草单位：
本文件主要起草人：。
本文件及其所代替文件的历次版本发布情况为：
——GB/T32278-2015、GB/T30867-2014；
——本次为第二次修订。
I
GB/TXXXXX—XXXX
碳化硅单晶片厚度和平整度测试方法
1.范围
本文件规定了碳化硅单晶片的厚度和平整度测试方法，包括接触式和自动非接触式测试方法；
本文件适用于直径为50.8mm、76.2mm、100mm、150mm、200mm的碳化硅碳化硅单晶片的测试，自动
非接触式测试方法适用于厚度为0.13mm～1mm碳化硅单晶片厚度和平整度的测试。
2.规范性引用文件
下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中，注日期的引用文件，
仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本
文件。
GB/T14264半导体材料术语
GB/T25915.1洁净室及相关受控环境第1部分:按粒子浓度划分空气洁净度等级
3.术语和定义
GB/T14264界定的以及下列术语和定义适用于本文件。
方法1接触式测量方法
4.方法原理
采用五点法，使用测厚仪在碳化硅单晶片中心点和距碳化硅单晶片边缘D/10（D为碳化硅单晶片直
径）的圆周上4个对称点位置测量碳化硅单晶片厚度，如图1所示，单晶片中心点厚度为标准厚度，5
个厚度测量值中的最大值和最小值的差值为碳化硅单晶片的总厚度变化。
D/10