《高密度小间距植球技术规范》
标准编制说明
苏州晶方半导体科技股份有限公司标准起草组
2024年04月22日
1、标准范围。
本标准适用于MEMS传感器球栅阵列（BGA）封装中的锡球阵列排布设
计，以及适用于MEMS传感器及其他小型化芯片的高密度小间距植球技术需
求。
2、工作简况。
本标准提供了MEMS传感器BGA封装技术的设计指导，给出了MEMS
传感器高密度、小间距植球封装的设计规范，对植球技术的锡球阵列排布设
计规则和设计建议作了详细说明，为MEMS传感器高密度、小间距的植球技
术需求提供了技术指引方向和设计规范。
3、标准编制原则和确定标准主要内容的依据：
依据MEMS传感器BGA阵列设计的规则及BGA工艺的实际流程。
4、主要试验（或验证）的分析、综述报告。
根据标准内容进行了初步的试验验证。设计规则（锡球尺寸、间距、排
布方式）满足封装要求，所得封装结构具有良好的电连通能力、支撑强度及
可靠性，锡球排布最小化额外的芯片面积需求。
5、标准在起草过程中遇到的问题及解决办法：重大分歧意见的处理
经过和依据：有无重要技术问题需要说明。
无
6、与国外标准的关系：包括：采用国际标准和国外先进标准的程度，
与国外标准主要技术内容的差异（可引用标准前言的内容）：
标准主要内容未参照国际标准或国外先进标准。
7、修订标准时，说明与标准前一版本的重大技术变化，并列出所涉
及的新、旧版本的有关章条（可引用标准前言的内容）：废止/代
替现行有关标准的建议：
不涉及。
8、说明标准与其他标准或文件的关系（可引用标准前言的内容），特
别是与有关的现行法律、法规和强制性国家标准的关系：
本文件按照GB/T1.1—2020《标准化工作导则第1部分：
标准化文件的结构和起草规则》的规定起草。与有关的现行法律、
法规和强制性国家标准没有冲突。
9、标准作为强制性标准或推荐性标准的建议：
建议强制性标准。
10、贯彻国家标准的要求和措施建议（包括组织措施、技术措施、过
渡办法等内容）：标准发布后，对国内外业界可能产生的影响。
标准发布后，会对基于球栅阵列（BGA）封装工艺提供技术引
导和设计规范，有望推动国内外业界锡球阵列设计趋于统一，进
而统一产品外观，降低封装成本。
11、标准是否涉及知识产权的情况说明；如标准中含有自主知识产权，
说明产品研发程度、产业化基础及进程。
标准不涉及知识产权。
12、其他应予说明的事项。
无