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4.ATmega2560存储器结构
在深入了解ATmega2560单片机的各种功能之前，了解其存储器结构是非常重要的。ATmega2560是一款基于AVR架构的高性能微控制器，具有丰富的存储器资源，包括闪存（Flash）、静态随机存取存储器（SRAM）和只读存储器（EEPROM）。这些存储器资源在单片机的运行中扮演着不同的角色，正确理解和使用它们可以大大提高程序的效率和可靠性。
4.1闪存（FlashMemory）
闪存是ATmega2560的程序存储区，用于存放编译后的程序代码。ATmega2560的闪存容量为256KB，分为多个页面，每个页面的大小为128字节。闪存是只读的，但可以通过特定的编程操作进行擦除和写入。
4.1.1闪存的组织结构
闪存的组织结构如下：
总容量：256KB
页面大小：128字节
起始地址：0x000000
结束地址：0x03FFFF
闪存主要用于存储程序代码和常量数据。在程序运行时，单片机从闪存中读取指令并执行。
4.1.2闪存的编程
闪存的编程通常通过ISP（In-SystemProgramming）接口进行，可以使用AVRStudio或其他编程工具。编程操作包括擦除整个闪存、擦除特定页面、写入数据等。
4.1.2.1擦除整个闪存
擦除整个闪存的操作可以通过以下步骤实现：
设置编程模式。
擦除整个闪存。
退出编程模式。
//擦除整个闪存的示例代码
voiderase_flash(){
//设置编程模式
__asm____volatile__(inr16,0x30);//读取状态寄存器
__asm____volatile__(orir16,(11));//设置编程模式
__asm____volatile__(out0x30,r16);//写入状态寄存器
//擦除整个闪存
__asm____volatile__(ldir16,0x01);//设置擦除标志
__asm____volatile__(out0x31,r16);//写入控制寄存器
__asm____volatile__(ldir16,0x00);//清除地址寄存器
__asm____volatile__(out0x32,r16);//写入地址寄存器
__asm____volatile__(out0x33,r16);//写入地址寄存器
__asm____volatile__(ldir16,0x02);//执行擦除
__asm____volatile__(out0x31,r16);//写入控制寄存器
//退出编程模式
__asm____volatile__(inr16,0x30);//读取状态寄存器
__asm____volatile__(andir16,~(11));//清除编程模式
__asm____volatile__(out0x30,r16);//写入状态寄存器
}
4.1.2.2擦除特定页面
擦除特定页面的操作可以通过以下步骤实现：
设置编程模式。
指定要擦除的页面地址。
擦除指定页面。
退出编程模式。
//擦除特定页面的示例代码
voiderase_flash_page(uint16_tpage_address){
//设置编程模式
__asm____volatile__(inr16,0x30);//读取状态寄存器
__asm____volatile__(orir16,(11));//设置编程模式
__asm____volatile__(out0x30,r16);//写入状态寄存器
//指定页面地址
__asm____volatile__(ldir16,0x01);//设置擦除标志
__asm____volatile__(out0x31,r16);//写入控制寄存器
__asm____volatile__(ldir16,%0);//清除地址寄存器
__asm____volatile__(out0x32,r16);//写入地址寄存器
__asm____volatile__(ldir16,%1);//写入地址寄存器