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文件名称:碳化硅陶瓷叠层实体成型与烧结工艺的深度解析与创新实践.docx
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总页数:24 页
更新时间:2025-06-17
总字数:约2.98万字
文档摘要
碳化硅陶瓷叠层实体成型与烧结工艺的深度解析与创新实践
一、引言
1.1研究背景与意义
在现代工业的飞速发展进程中,材料科学作为推动各领域创新的关键力量,一直处于科技前沿的核心位置。碳化硅(SiC)陶瓷凭借其卓越的物理化学性能,在众多高性能材料中脱颖而出,成为了材料研究领域的焦点之一,在现代工业中占据着关键地位。
从其物理性能来看,碳化硅陶瓷拥有高达2700℃的熔点,这使其在高温环境下依然能够保持稳定的结构和性能,远优于许多传统材料。其热导率较高,约为100-200W/(m?K),良好的热传导能力使得它在需要高效散热的场合表现出色,如电子器件的散热部件中,能够快速将热量传递出去,保证