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文件名称:NXP 系列:LPC1100 系列_(14).LPC1100系列的Flash编程与管理.docx
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更新时间:2025-06-18
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LPC1100系列的Flash编程与管理

Flash存储器概述

Flash存储器是LPC1100系列单片机中的一个关键组件,用于存储程序代码、常量数据和用户数据。与传统的EPROM和EEPROM相比,Flash存储器具有更快的写入速度和更高的耐用性。在LPC1100系列中,Flash存储器分为多个区块,每个区块都有自己的地址范围和大小。这些区块可以独立地进行擦除和编程操作,从而提高存储管理的灵活性。

Flash存储器的结构

LPC1100系列的Flash存储器通常分为以下几个部分:

主Flash存储器:用于存储应用程序代码和常量数据。

信息Flash存储器:用于存储用户自定义数据,如校准参数、配置信息等。

Flash存储器的特性

擦除:Flash存储器在写入新数据之前需要先进行擦除操作。擦除操作会将整个区块的数据清零。

编程:写入数据到Flash存储器的过程称为编程。编程操作可以按字节、半字或字进行。

耐用性:Flash存储器的擦除和编程操作有一定的寿命限制,通常为100,000次擦除/编程周期。

功耗:擦除和编程操作需要较高的电流,因此在进行这些操作时需要注意系统的功耗管理。

Flash编程的基本步骤

在LPC1100系列单片机中,Flash编程通常涉及以下几个步骤:

配置Flash控制寄存器:设置Flash存储器的访问模式和保护选项。

解锁Flash存储器:在进行擦除或编程操作之前,需要解锁Flash存储器。

擦除Flash区块:选择要擦除的区块并执行擦除命令。

编程Flash区块:将数据写入指定的地址。

锁定Flash存储器:完成编程操作后,重新锁定Flash存储器以防止意外写入。

示例:配置Flash控制寄存器

#includeLPC11xx.h

//配置Flash控制寄存器

voidconfigure_flash(){

//使能Flash控制器

LPC_FLASH-FCR=0x01;//设置为1以使能Flash控制器

//配置访问模式

LPC_FLASH-FACR=0x00;//设置为0以使用默认访问模式

//配置保护选项

LPC_FLASH-FPADDR=0x00;//设置保护地址

LPC_FLASH-FPROT=0x00;//设置保护模式

}

示例:解锁Flash存储器

//解锁Flash存储器

voidunlock_flash(){

//解锁Flash存储器

LPC_FLASH-FPROT=0x00;//清除保护模式

LPC_FLASH-FCR=0x02;//设置为2以解锁Flash存储器

}

示例:擦除Flash区块

//擦除Flash区块

voiderase_flash_block(uint32_tblock_address){

//选择要擦除的区块地址

LPC_FLASH-FCR=0x04;//设置为4以选择擦除操作

LPC_FLASH-FADDR=block_address;//设置区块地址

//触发擦除操作

LPC_FLASH-FCR=0x05;//设置为5以开始擦除

//等待擦除完成

while((LPC_FLASH-FCR0x01)==0){

//擦除操作正在进行中

}

}

示例:编程Flash区块

//编程Flash区块

voidprogram_flash_block(uint32_taddress,uint32_tdata){

//选择要编程的地址

LPC_FLASH-FCR=0x08;//设置为8以选择编程操作

LPC_FLASH-FADDR=address;//设置编程地址

//写入数据

LPC_FLASH-FDATA=data;//设置数据

//触发编程操作

LPC_FLASH-FCR=0x09;//设置为9以开始编程

//等待编程完成

while((LPC_FLASH-FCR0x01)==0){

//编程操作正在进行中

}

}

示例:锁定Flash存储器

//锁定Flash存储器

voidlock_flash(){

//锁定Flash存储器

LPC_FLASH