PAGE1
PAGE1
LPC1100系列的Flash编程与管理
Flash存储器概述
Flash存储器是LPC1100系列单片机中的一个关键组件，用于存储程序代码、常量数据和用户数据。与传统的EPROM和EEPROM相比，Flash存储器具有更快的写入速度和更高的耐用性。在LPC1100系列中，Flash存储器分为多个区块，每个区块都有自己的地址范围和大小。这些区块可以独立地进行擦除和编程操作，从而提高存储管理的灵活性。
Flash存储器的结构
LPC1100系列的Flash存储器通常分为以下几个部分：
主Flash存储器：用于存储应用程序代码和常量数据。
信息Flash存储器：用于存储用户自定义数据，如校准参数、配置信息等。
Flash存储器的特性
擦除：Flash存储器在写入新数据之前需要先进行擦除操作。擦除操作会将整个区块的数据清零。
编程：写入数据到Flash存储器的过程称为编程。编程操作可以按字节、半字或字进行。
耐用性：Flash存储器的擦除和编程操作有一定的寿命限制，通常为100,000次擦除/编程周期。
功耗：擦除和编程操作需要较高的电流，因此在进行这些操作时需要注意系统的功耗管理。
Flash编程的基本步骤
在LPC1100系列单片机中，Flash编程通常涉及以下几个步骤：
配置Flash控制寄存器：设置Flash存储器的访问模式和保护选项。
解锁Flash存储器：在进行擦除或编程操作之前，需要解锁Flash存储器。
擦除Flash区块：选择要擦除的区块并执行擦除命令。
编程Flash区块：将数据写入指定的地址。
锁定Flash存储器：完成编程操作后，重新锁定Flash存储器以防止意外写入。
示例：配置Flash控制寄存器
#includeLPC11xx.h
//配置Flash控制寄存器
voidconfigure_flash(){
//使能Flash控制器
LPC_FLASH-FCR=0x01;//设置为1以使能Flash控制器
//配置访问模式
LPC_FLASH-FACR=0x00;//设置为0以使用默认访问模式
//配置保护选项
LPC_FLASH-FPADDR=0x00;//设置保护地址
LPC_FLASH-FPROT=0x00;//设置保护模式
}
示例：解锁Flash存储器
//解锁Flash存储器
voidunlock_flash(){
//解锁Flash存储器
LPC_FLASH-FPROT=0x00;//清除保护模式
LPC_FLASH-FCR=0x02;//设置为2以解锁Flash存储器
}
示例：擦除Flash区块
//擦除Flash区块
voiderase_flash_block(uint32_tblock_address){
//选择要擦除的区块地址
LPC_FLASH-FCR=0x04;//设置为4以选择擦除操作
LPC_FLASH-FADDR=block_address;//设置区块地址
//触发擦除操作
LPC_FLASH-FCR=0x05;//设置为5以开始擦除
//等待擦除完成
while((LPC_FLASH-FCR0x01)==0){
//擦除操作正在进行中
}
}
示例：编程Flash区块
//编程Flash区块
voidprogram_flash_block(uint32_taddress,uint32_tdata){
//选择要编程的地址
LPC_FLASH-FCR=0x08;//设置为8以选择编程操作
LPC_FLASH-FADDR=address;//设置编程地址
//写入数据
LPC_FLASH-FDATA=data;//设置数据
//触发编程操作
LPC_FLASH-FCR=0x09;//设置为9以开始编程
//等待编程完成
while((LPC_FLASH-FCR0x01)==0){
//编程操作正在进行中
}
}
示例：锁定Flash存储器
//锁定Flash存储器
voidlock_flash(){
//锁定Flash存储器
LPC_FLASH