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STM32F4系列闪存存储与管理
1.闪存存储器概述
闪存存储器（FlashMemory）是STM32F4系列微控制器中的一个重要组成部分，用于存储程序代码和一些静态数据。闪存存储器具有非易失性存储特性，即使在断电情况下，数据也能保持不变。STM32F4系列微控制器的闪存存储器通常具有较高的读取速度和较长的使用寿命，适合嵌入式系统中的各种应用场景。
1.1闪存存储器的结构
STM32F4系列闪存存储器通常分为多个块（Block），每个块又分为多个页（Page）。每个页的大小通常是1KB或2KB，每个块的大小通常是128KB或256KB。闪存存储器的结构设计使得数据的擦除和写入操作可以更高效地进行。
1.2闪存存储器的操作
闪存存储器的操作主要包括读取、编程（写入）、擦除和锁定。这些操作需要通过特定的寄存器和控制命令来完成。以下是一些基本的操作：
读取：直接通过地址访问。
编程：将数据写入闪存存储器，需要先解锁闪存操作。
擦除：将一个或多个页或块的数据清零，同样需要解锁操作。
锁定：防止闪存存储器的意外写入或擦除，提高系统的安全性。
2.闪存存储器的读取操作
2.1读取操作的基本原理
读取STM32F4系列闪存存储器中的数据非常简单，可以直接通过地址访问。闪存存储器的读取速度通常与SRAM相当，因此在程序执行过程中，可以高效地读取存储在闪存中的代码和数据。
2.2读取操作的代码示例
#includestm32f4xx.h
//定义闪存存储器中的数据地址
#defineFLASH_DATA_ADDR0
intmain(void){
uint32_tdata;
//读取闪存存储器中的数据
data=*(__IOuint32_t*)FLASH_DATA_ADDR;
//输出读取的数据
while(1){
//例如，通过串口输出数据
//printf(FlashData:0x%08X\r\n,data);
}
}
2.3读取操作的注意事项
读取操作不需要特殊解锁，直接访问即可。
闪存存储器的读取速度较快，但频繁的读取操作可能会增加功耗，需要合理管理。
3.闪存存储器的编程操作
3.1编程操作的基本原理
编程操作是指将数据写入闪存存储器。STM32F4系列闪存存储器的编程操作需要先解锁闪存控制寄存器，然后设置编程地址和数据，最后启动编程操作。编程操作完成后，需要重新锁定闪存控制寄存器以防止意外写入。
3.2编程操作的代码示例
#includestm32f4xx.h
#includestm32f4xx_flash.h
#includestm32f4xx_rcc.h
//定义闪存存储器中的编程地址
#defineFLASH_PROG_ADDR0
intmain(void){
uint32_tdata=0
FLASH_Statusstatus;
//启动闪存接口时钟
RCC_APB2PeriphClockCmd(RCC_APB2Periph_FLASH,ENABLE);
//解锁闪存存储器
status=FLASH_Unlock();
if(status!=FLASH_COMPLETE){
//处理解锁失败
while(1);
}
//清除所有闪存错误标志
FLASH_ClearFlag(FLASH_FLAG_EOP|FLASH_FLAG_WRPERR|FLASH_FLAG_PGERR|FLASH_FLAG_PROGERR);
//设置编程地址
FLASH_ProgramWord(FLASH_PROG_ADDR,data);
//检查编程操作是否成功
status=FLASH_GetStatus();
if(status!=FLASH_COMPLETE){
//处理编程失败
while(1);
}
//重新锁定闪存存储器
FLASH_Lock();
//验证数据是否正确写入
uint32_tread_data=*(__IOuint32_t*)FL