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STM32F3系列内存结构
内存概述
STM32F3系列单片机基于ARMCortex-M4内核，具有丰富的内存资源，包括闪存（FlashMemory）、数据随机存取存储器（RAM）、以及嵌入式选项字节（EmbeddedOptionBytes）。这些内存资源为应用程序的存储、数据处理和系统配置提供了强大的支持。了解这些内存资源的结构和特性对于高效开发和优化应用程序至关重要。
闪存（FlashMemory）
闪存是STM32F3系列单片机中的非易失性存储器，用于存储程序代码和常量数据。STM32F3系列的闪存容量通常在64KB到512KB之间，具体取决于不同的型号。闪存分为多个扇区（Sector），每个扇区可以独立擦除，但不能独立写入。写入操作需要整个扇区先被擦除。
闪存结构
STM32F3系列的闪存结构如下：
地址范围：0x08000000~0x080FFFFF（512KB型号）
扇区划分：闪存通常分为多个扇区，每个扇区的大小不同。例如，STM32F303系列的闪存分为16个扇区，每个扇区的大小为32KB。
扇区地址：每个扇区的起始地址固定，例如：
扇区0：0x08000000~0x08007FFF
扇区1：0x08008000~0x0800FFFF
扇区2：0x08010000~0x08017FFF
…
扇区15：0x080E0000~0x080FFFFF
闪存操作
闪存的操作主要包括读取、编程和擦除。
读取：通过标准的内存访问指令读取闪存中的数据。
编程：将数据写入闪存。编程操作必须在扇区擦除后进行。
擦除：将一个或多个扇区的数据擦除，使其内容变为全1（0xFF）。
代码示例：闪存编程
以下是一个示例代码，展示如何在STM32F3系列单片机中编程闪存。
#includestm32f3xx_hal.h
//定义要编程的地址和数据
#defineFLASH_USER_START_ADDRADDR_FLASH_PAGE_32
#defineDATA_32((uint32_t)0
voidFlash_Write(uint32_taddress,uint32_tdata){
HAL_StatusTypeDefstatus;
//解锁闪存编程
HAL_FLASH_Unlock();
//清除闪存编程/擦除错误标志
__HAL_FLASH_CLEAR_FLAG(FLASH_FLAG_EOP|FLASH_FLAG_WRPERR|FLASH_FLAG_PGERR|FLASH_FLAG_PROGERR);
//执行擦除操作
FLASH_EraseInitTypeDefEraseInitStruct;
uint32_tPageError=0;
EraseInitStruct.TypeErase=FLASH_TYPEERASE_PAGES;
EraseInitStruct.PageAddress=FLASH_USER_START_ADDR;
EraseInitStruct.NbPages=1;//擦除一个页面
status=HAL_FLASHEx_Erase(EraseInitStruct,PageError);
if(status==HAL_OK){
//执行编程操作
status=HAL_FLASH_Program(FLASH_TYPEPROGRAM_WORD,address,data);
}
//锁定闪存编程
HAL_FLASH_Lock();
if(status!=HAL_OK){
//错误处理
while(1){
//程序卡在这里
}
}
}
intmain(void){
HAL_Init();
//初始化系统时钟
SystemClock_Config();
//初始化其他外设
//编程闪存
Flash_Write(FLASH_USER_START_ADDR,DATA_32);
while(1){
//主循环
}
}