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STM32F0系列的闪存和存储器管理
1.闪存概述
闪存（FlashMemory）是STM32F0系列单片机中的一种非易失性存储器，用于存储程序代码和常量数据。STM32F0系列的闪存具有以下特点：
容量：STM32F0系列的闪存容量根据具体型号不同，通常在16KB到256KB之间。
访问速度：闪存的访问速度非常快，通常在几个时钟周期内即可完成读取操作。
耐久性：闪存具有较高的擦写次数，但相对于RAM来说仍有限制，一般在10,000次左右。
可靠性：闪存具有较高的数据保留时间，通常在10年以上。
闪存通常分为多个块（Block），每个块可以独立进行擦除操作。STM32F0系列的闪存块大小和数量根据具体型号有所不同，但通常每个块的大小在1KB到16KB之间。
2.闪存编程
闪存编程是指将数据写入闪存中的过程。STM32F0系列单片机提供了专门的闪存编程接口，通过这些接口可以进行擦除、编程和读取操作。以下是闪存编程的基本步骤：
解锁闪存：在进行任何闪存操作之前，必须先解锁闪存。
擦除闪存：擦除闪存块，使其内容变为全1。
编程闪存：将数据写入闪存。
锁定闪存：完成闪存操作后，必须锁定闪存以防止意外写入。
2.1解锁闪存
解锁闪存是进行闪存操作的第一步。解锁闪存可以使用以下代码：
//解锁闪存
voidFLASH_Unlock(void){
//使能闪存接口的写操作
FLASH-CR|=FLASH_CR_PG;
}
2.2擦除闪存
擦除闪存块是将指定块的内容全部擦除，使其变为全1。STM32F0系列提供了多种擦除方式，包括擦除单个块和擦除整个闪存。
//擦除单个闪存块
voidFLASH_Erase_Single_Block(uint32_tBlockAddress){
//解锁闪存
FLASH_Unlock();
//设置要擦除的块地址
FLASH-CR=~FLASH_CR_SNB;//清除旧的块地址
FLASH-CR|=(BlockAddressFLASH_CR_SNB_Msk);//设置新的块地址
//启动擦除操作
FLASH-CR|=FLASH_CR_SER;//设置擦除单个块位
FLASH-CR|=FLASH_CR_STRT;//启动擦除
//等待擦除完成
while(FLASH-SRFLASH_SR_BSY){
//擦除操作进行中
}
//锁定闪存
FLASH_Lock();
}
//擦除整个闪存
voidFLASH_Erase_All(void){
//解锁闪存
FLASH_Unlock();
//设置擦除整个闪存
FLASH-CR|=FLASH_CR_MER;//设置擦除整个闪存位
FLASH-CR|=FLASH_CR_STRT;//启动擦除
//等待擦除完成
while(FLASH-SRFLASH_SR_BSY){
//擦除操作进行中
}
//锁定闪存
FLASH_Lock();
}
2.3编程闪存
编程闪存是将数据写入闪存中的过程。STM32F0系列支持字节、半字和字的编程操作。
//编程闪存
voidFLASH_Program_Word(uint32_tAddress,uint32_tData){
//解锁闪存
FLASH_Unlock();
//等待任何正在进行的闪存操作完成
while(FLASH-SRFLASH_SR_BSY){
//操作进行中
}
//编程闪存
*(__IOuint32_t*)Address=Data;
//等待编程完成
while(FLASH-SRFLASH_SR_BSY){
//编程操作进行中
}
//检查编程是否成功
if((FLASH-SRFLASH_SR_EOP)==0){
//编程失败
//处理错误
}
//锁定闪存
FLASH_Lock();
}
3.存储器管理
STM3