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LPC1100系列的存储器架构
引言
LPC1100系列单片机是NXP推出的一款基于ARMCortex-M0内核的低功耗微控制器。该系列单片机具有丰富的片上资源，包括多种存储器类型，如Flash存储器、SRAM、ROM等。了解LPC1100系列的存储器架构对于开发高效、可靠的嵌入式应用至关重要。本节将详细介绍LPC1100系列的存储器架构，包括各种存储器的类型、特点、容量以及如何在程序中高效地使用它们。
存储器类型
1.Flash存储器
Flash存储器是LPC1100系列单片机的主要非易失性存储器，用于存放程序代码和静态数据。LPC1100系列的Flash存储器具有以下特点：
容量：LPC1100系列的Flash存储器容量从32KB到256KB不等，具体容量取决于不同的型号。
访问速度：Flash存储器的访问速度通常在几十纳秒级别，能够满足大多数嵌入式应用的需求。
擦写次数：Flash存储器的擦写次数通常在100,000次以上。
擦除单位：Flash存储器的擦除单位通常是一个扇区，每个扇区的大小为1KB或4KB，具体取决于不同的型号。
Flash存储器的编程
Flash存储器的编程通常需要通过特定的库函数或指令来完成。以下是一个使用LPC1100系列的Flash编程库函数的示例：
#includeLPC11xx.h
#includeFlash.h
//定义要写入的地址和数据
#defineFLASH_ADDRESS0
#defineFLASH_DATA0
voidflash_program_example(void){
uint32_tstatus;
uint32_taddress=FLASH_ADDRESS;
uint32_tdata=FLASH_DATA;
//初始化Flash编程库
FlashInit();
//擦除指定地址的扇区
status=FlashEraseSector(address);
if(status!=FLASH_OK){
//擦除失败
while(1);
}
//写入数据
status=FlashProgramWord(address,data);
if(status!=FLASH_OK){
//写入失败
while(1);
}
//验证写入的数据
if(LPC_FLASH-MEM[n]!=data){
//验证失败
while(1);
}
//关闭Flash编程库
FlashDeInit();
}
2.SRAM
SRAM（静态随机存取存储器）是LPC1100系列单片机的主要易失性存储器，用于存放运行时的变量和堆栈。LPC1100系列的SRAM具有以下特点：
容量：LPC1100系列的SRAM容量从4KB到32KB不等，具体容量取决于不同的型号。
访问速度：SRAM的访问速度非常快，通常在几纳秒级别。
功耗：SRAM在运行时需要持续供电，断电后数据会丢失。
SRAM的使用
SRAM的使用通常不需要特别的初始化或配置，编译器会自动管理。但是，了解如何手动管理SRAM可以提高程序的效率。以下是一个使用SRAM的示例：
#includeLPC11xx.h
//定义一个存储在SRAM中的变量
volatileuint32_tsram_variable;
voidsram_example(void){
//初始化SRAM变量
sram_variable=0
//使用SRAM变量
sram_variable+=1;
//打印SRAM变量的值
UART_Print(SRAMvariablevalue:0x%08X\r\n,sram_variable);
}
3.ROM
ROM（只读存储器）是LPC1100系列单片机的一部分，用于存放固件和预定义的库函数。LPC1100系列的ROM具有以下特点：
容量：LPC1100系列的ROM容量通常为8KB。
访问速度：ROM的访问速度与Flash存储器相当。
内容：ROM中存储了Bootloader、系统初始化代码和一些预定义的库函数。