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文档摘要

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宽禁带半导体氧化物高温介电性能：机理、测试与应用探索

一、引言

1.1研究背景与意义

在现代电子技术飞速发展的进程中，半导体材料始终是推动其进步的核心要素。从第一代以硅（Si）为代表的半导体材料开启集成电路时代，到第二代以砷化镓（GaAs）为代表的半导体材料在光电子领域崭露头角，再到如今第三代宽禁带半导体材料的兴起，每一次半导体材料的革新都引发了电子技术的重大变革。宽禁带半导体氧化物作为第三代半导体材料中的重要一员，因其独特的物理性质和卓越的性能，在众多前沿科技领域展现出了巨大的应用潜力，已然成为当前材料科学与电子工程领域的研究焦点。

宽禁带半导体氧化物，通常是指禁带宽度大于2.2eV的