宽禁带半导体ZnO、GaN及其相关材料：微结构调控与性能优化的探索

一、引言

1.1研究背景与意义

材料科学的发展始终是人类文明进步的鲜明标志，从远古时期的石器时代，到青铜器盛行的青铜时代，再到铁器广泛应用的铁器时代，直至如今以半导体材料为根基的电子信息时代，每一次材料的革新都深刻推动着人类社会的发展进程。在当今科技日新月异、飞速发展的时代背景下，半导体材料作为电子信息产业的基石，其重要性不言而喻。随着5G通信、人工智能、新能源汽车、物联网等新兴技术的迅猛发展，对半导体材料的性能提出了更为严苛的要求，传统半导体材料在面对大功率、高温、高频等应用场景时，逐渐显露出性能上的局限性，已难以满足