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STM32L4系列的存储器架构
1.存储器概述
STM32L4系列单片机采用了高度优化的存储器架构，以支持高效的数据处理和低功耗操作。存储器架构是单片机设计中非常关键的一部分，它直接影响到系统的性能、功耗以及编程的便捷性。在这一节中，我们将详细介绍STM32L4系列的存储器架构，包括各种存储器的类型、功能以及如何在编程中有效地使用这些存储器。
1.1存储器类型
STM32L4系列单片机的存储器主要分为以下几种类型：
Flash存储器：用于存储程序代码和常量数据。
SRAM存储器：用于存储变量、堆栈和动态数据。
系统存储器：用于存储启动代码和一些系统配置。
外设存储器：用于与外设进行数据交换。
1.2存储器映射
STM32L4系列单片机的存储器映射如下图所示：
++
|Flash存储器|0x08000000-0x081FFFFF
++
|系统存储器|0x1FFF0000-0x1FFF07FF
++
|SRAM存储器|0x20000000-0x2003FFFF
++
|外设存储器|0x40000000-0x400FFFFF
++
|外部存储器接口|0xA0000000-0xA00FFFFF
++
1.3Flash存储器
Flash存储器是STM32L4系列单片机的主要非易失性存储器，用于存储程序代码和常量数据。Flash存储器的特点包括：
大小：根据不同的型号，Flash存储器的大小从128KB到1MB不等。
读取速度：支持高速读取，最高可达48MHz。
擦除和编程：支持页擦除和字编程，页大小通常为2KB或4KB。
1.3.1Flash存储器的编程
Flash存储器的编程需要通过Flash访问控制寄存器（FLASH_ACR）和Flash控制寄存器（FLASH_CR）来完成。以下是一个简单的Flash编程示例：
#includestm32l4xx_hal.h
//定义Flash编程的起始地址和数据
#defineFLASH_USER_START_ADDRADDR_FLASH_PAGE_0/*Flashpage0address*/
#defineFLASH_USER_END_ADDR(ADDR_FLASH_PAGE_0+0x400)/*Flashpage0endaddress*/
#defineDATA_32((uint32_t)0
voidFlash_Program(uint32_taddress,uint32_tdata){
HAL_StatusTypeDefstatus;
//解锁Flash编程
HAL_FLASH_Unlock();
//启用Flash编程
__HAL_FLASH_ENABLE_PROGRAM(FLASH_PROGRAM_QUADWORD);
//写入数据
status=HAL_FLASH_Program(FLASH_TYPEPROGRAM_QUADWORD,address,data);
if(status==HAL_OK){
//编程成功
__HAL_FLASH_CLEAR_FLAG(FLASH_FLAG_EOP|FLASH_FLAG_WRPERR|FLASH_FLAG_PGERR);
}else{
//编程失败
__HAL_FLASH_CLEAR_FLAG(FLASH_FLAG_EOP|FLASH_FLAG_WRPERR|FLASH_FLAG_PGERR);
}
//锁定Flash编程
HAL_FLASH_Lock();
}
intmain(void){
//初始化HAL库
HAL_Init();
//初始化系统时钟
SystemClock_Config();
//编程Flash存储器
Flash_Program(FLASH_USER_START_ADDR,DATA_32);
while(1){
//主循环