半导体二极管练习题1
一、单选题(每题1分)
1.用模拟指针式万用表的电阻档测量二极管正向电阻，所测电阻是二极管的＿＿电阻，由于不同量程时通过二极管的电流，所测得正向电阻阻值。
A.直流，相同，相同B.交流，相同，相同
C.直流，不同，不同D.交流，不同，不同
2.杂质半导体中（）的浓度对温度敏感。
A.少子B.多子C.杂质离子D.空穴
3.PN结形成后，空间电荷区由（）构成。
A.电子和空穴B.施主离子和受主离子
C.施主离子和电子D.受主离子和空穴
4.硅管正偏导通时，其管压降约为（）。
A0.1VB0.2VC0.5VD0.7V
5.在PN结外加正向电压时，扩散电流漂移电流，当PN结外加反向电压时，扩散电流漂移电流。
A.小于，大于B.大于，小于C.大于，大于D.小于，小于
6.杂质半导体中多数载流子的浓度主要取决于（）。
A.温度B.掺杂工艺C.掺杂浓度D.晶体缺陷
7.当温度升高时，二极管正向特性和反向特性曲线分别（）。
A.左移，下移B.右移，上移C.左移，上移D.右移，下移
8.设二极管的端电压为U，则二极管的电流方程为（）。
A.B.C.D.
9.下列符号中表示发光二极管的为（）。
10.在25oC时，某二极管的死区电压Uth≈0.5V，反向饱和电流IS≈0.1pA，则在35oC时，下列哪组数据可能正确：（）。
AUth≈0.525V，IS≈0.05pABUth≈0.525V，IS≈0.2pA
CUth≈0.475V，IS≈0.05pADUth≈0.475V，IS≈0.2pA
11.稳压二极管工作于正常稳压状态时，其反向电流应满足()。
A.ID=0B.IDIZ且IDIZMC.IZIDIZMD.IZIDIZM
12.从二极管伏安特性曲线可以看出，二极管两端压降大于（）时处于正偏导通状态。
A.0B.死区电压C.反向击穿电压D.正向压降
二、判断题(每题1分)
1.因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。（）
2.PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。（）
3.在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。（）
4.稳压管正常稳压时应工作在正向导通区域。（）
5.二极管在工作电流大于最大整流电流IF时会损坏。（）
6.二极管在反向电压超过最高反向工作电压URM时会损坏。（）
7.二极管在工作频率大于最高工作频率fM时会损坏。（）
三、填空题(每题1分)
1.二极管反向击穿分电击穿和热击穿两种情况，其中是可逆的，而会损坏二极管。
2.温度升高时，二极管的导通电压，反向饱和电流。
3.普通二极管工作时通常要避免工作于，而稳压管通常工作于。
4.硅管的导通电压比锗管的，反向饱和电流比锗管的。
5.本征半导体掺入微量的五价元素，则形成型半导体，其多子为，少子为。
6.PN结正偏是指P区电位N区电位。
7.纯净的具有晶体结构的半导体称为，采用一定的工艺掺杂后的半导体称为。
8.二极管按PN结面积大小的不同分为点接触型和面接触型，型二极管适用于高频、小电流的场合，型二极管适用于低频、大电流的场合。
9.发光二极管通以就会发光。光电二极管的随光照强度的增加而上升。
10.PN结的内电场对载流子的扩散运动起作用，对漂移运动起作用。
11.发光二极管能将信号转换为信号，它工作时需加偏置电压。
12.在PN结形成过程中，载流子扩散运动是作用下产生的，漂移运动是作用下产生的。
13.半导体稳压管的稳压功能是利