保护电路设计方法 -过电压保护
2.过电压保护
⑴过电压的产生及抑制方法
①过电
压产生的缘由
对于IGBT开关速度较高，IGBT关断时及FWD逆向恢复时，产生很高的di/dt，由于模块四周的接线的电感，就产生了Ldi/dt电压〔关断浪涌电压〕。
这里，以IGBT关断时的电压波形为例，介绍产生缘由和抑制方法，以具体电路〔均适用IGBT/FWD〕为例加以说明。
为了能观测关断浪涌电压的简洁电路的图6中，以斩波电路为例，在图7中示出了IGBT关断时的动作波形。
关断浪涌电压，因IGBT关断时，主电路电流急剧变化，在主电路分布电感上，就会产生较高的电压。关断浪涌电压的峰值可用下式求出：
V =E＋(-LdI/dt)
CESP d c
式中dl/dt为关断时的集电极电流变化率的最大值；V 为超过IGBT的C-E间耐压(V )以至损坏时的电
c CESP CES
压值。
②过电压抑制方法
作为过电压产生主要因素的关断浪涌电压的抑制方法有如下几种：
在IGBT中装有保护电路〔=缓冲电路〕可吸浪涌电压。缓冲电路的电容，承受薄膜电容，并靠近IGBT
配置，可使高频浪涌电压旁路。
调整IGBT的驱动电路的VCE或RC，使di/dt最小。
尽量将电件电容靠近IGBT安装，以减小分布电感，承受低阻抗型的电容效果更佳。
为降低主电路及缓冲电路的分布电感，接线越短越粗越好，用铜片作接线效果更佳。
⑵缓冲电路的种类和特
缓冲电路中有全部器件紧凑安装的单独缓冲电路与直流母线间整块安装缓冲电路二类。
①个别缓冲电路
为个别缓冲电路的代表例子，可有如下的缓冲电路
RC缓冲电路
充放电形RCD缓冲电路
放电阻挡形RCD缓冲电路
表3中列出了每个缓冲电路的接线图。特点及主要用途。
表3单块缓冲电路的接线圈特点及主电用途
缓冲电路接线图 特点〔留意事项〕 主要用途
RC缓冲电路
关断浪涌电压抑制效果好。
最适合于斩波电路。
焊接机
使用大容量IGBT时，必需使缓冲电阻值很小，这样开通时的集电极电流增大，开关电源
IGBT功能受到限制。
可抑制关断浪涌电压。
与Rc缓冲电路不同。因加了缓冲二极管使缓冲电阻变大，因而避开了开通时
IGBT功能受到限制的问题。
充放电形
RCD缓冲电路
与放电阻挡形RCD缓冲电路相比，缓冲电路中的损耗〔主要由缓冲电阻产生〕格外大，因而不适用于高频开关用途。
在充放典型RCD缓冲电路中缓冲电阻产生的损耗可由下式求出。
式中L：主电路中分布电感一lo：IGBT关断时集电极电流
Cs：缓冲电容值Ed：直流电源电压f：开关频率
放电阻挡形缓冲电路
放电阻挡形缓冲电路
有抑制关断浪涌电压效果。
最适合用于高频开关用途。
在缓冲电路中产生的损耗小。
在充放电形RCD缓冲电路的缓冲电阻上产生的损耗可用下式求出。
逆变器
式中
L：主电路的分布电感Io：IGBT关断时的集电极电流f：开关频率
②整体缓冲电路
作为这类缓冲电路的代表例子，有下面几种缓冲电路
C缓冲电路
RCD缓冲电路
最近，为简化缓冲电路的设计，大多承受整体缓冲电路。表4列出了各种整体缓冲电路的接线图和特点，
主要用途。表5中列出了承受整体缓冲电路时的缓冲电路容量的数值，图8示出了这类缓冲器开断波形的例子。
表4整体缓冲电路的接线图特点及主要用途
缓冲电路接线图 特点〔留意事项〕 主要用途
C缓冲电路
电路最简洁。
由主电路电感及缓冲电容构成谐振电路电压易产生振荡。
逆变器
RCD缓冲电路 缓冲二极管的选择错误，可产生较高的尖峰电压并在缓冲二极管反向恢复时，电压产生振荡。
逆变器
表5整体〔缓冲容量数值〕
器件规格\工程
驱动条件
主电路分布电感 缓冲电容值Cs
-V 〔V〕
R(Ω)
(μH)
(μF)
CE G
50A
≥51
75A
≥33
0.47
100A
≥24
600V
150A
≥16
≤0.2
1.5
200A
≤15
≥9.1
≤0.16
2.2
300A
≥6.8
≤0.1
3.3
400A
≥4.7
≤0.08
4.7
1200V
50A
75A
≥24
≥16
0.47
100A
≥9.1
150A
≥5.6
≤0.2
1.5
200A
≥4.7
≤0.16
2.2
300A
≥2.7
≤0.1
3.3
样品：2MBI100N-060
Ed〔Vcc)=300V
V ＝＋15，－15V
GE
R=24Cs＝0．47UF
G
⑶放电阻挡形RCD缓冲电路设计方法
作为IGBT缓冲电路，认为最合理的放电阻挡形