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文档摘要

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桂林电子科技大学硕士研究生入学考试复试试卷A

考试科目代码：227考试科目名称：半导体物理

请注意：答案必须写在答题纸上（写在试卷上无效）。

一、选择（每小题5分，共25分）

1.在GaAs中熔入GaP可使其（）

A．禁带变宽B.增加电子陷阱

C．禁带变窄D.增加空穴陷阱

2.欧姆接触是指（）的金属半导体接触

A．B．

C．D．阻值较小且具有对称而线性的伏安特性

3.有效复合中心的能级必靠近（）

A．禁带中部B．导带

C．价带D．费米能级

4.有一种半导体材料的霍尔系数为零，该材料通常是（）

A．n型B．p型

C．本征型D．高度补偿性

5.有三个硅样品，其掺杂情况分别是（）

甲．含铝乙.含硼和磷各丙.含镓

A．甲乙丙B．甲丙乙

C．乙甲丙D．丙甲乙

二、简答(每小题15分，共75分)

1.从能带论的角度简述导体、半导体、绝缘体的导电性。

2.以V族元素掺入Si中为例，说明什么是施主杂质、施主杂质电离过程和n型半导体。

3.简述PN结耗尽区的形成机制。

4.简述塞贝克或温差电效应

5.简述霍尔效应和量子霍尔效应以及二者的区别。

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请注意：答案必须写在答题纸上（写在试卷上无效）。