Ⅲ族氮化物半导体能带与极化调控：光电子器件的基石与创新驱动力

一、引言

1.1研究背景与意义

在现代半导体领域，Ⅲ族氮化物半导体凭借其独特且优异的物理化学性质，占据着举足轻重的地位，已然成为推动众多前沿科技发展的核心材料体系之一。Ⅲ族氮化物主要涵盖氮化镓（GaN）、氮化铝（AlN）、氮化铟（InN）及其合金，如AlGaN、InGaN、AlGaInN等。这类材料最为突出的特性之一是拥有直接带隙，并且带隙范围极为宽泛，从InN的约0.7eV、GaN的3.4eV到AlN的6.2eV，对应的直接带隙波长覆盖了从红外到紫外的宽广范围。这一特性使得Ⅲ族氮化物在光电子器件