杨继深2002年4月截止波导管损耗频率fc截止频率频率高的电磁波能通过波导管，频率低的电磁波损耗很大！工作在截止区的波导管叫截止波导。截止区第30页，共46页，星期日，2025年，2月5日杨继深2002年4月截止波导管的屏效截止波导管屏蔽效能=反射损耗：远场区计算公式近场区计算公式+吸收损耗圆形截止波导：32t/d矩形截止波导：27.2t/l孔洞计算屏蔽效能公式第31页，共46页，星期日，2025年，2月5日杨继深2002年4月截止波导管的损耗第32页，共46页，星期日，2025年，2月5日杨继深2002年4月截止波导管的设计步骤孔洞的泄漏不能满足屏蔽要求SE确定截止波导管的截面形状确定要屏蔽的最高的频率f确定波导管的截止频率fc计算截止波导管的截面尺寸由SE确定截止波导管的长度5f第33页，共46页，星期日，2025年，2月5日电磁兼容培训胶片屏蔽杨继深2002年4月第1页，共46页，星期日，2025年，2月5日杨继深2002年4月电磁屏蔽屏蔽前的场强E1屏蔽后的场强E2对电磁波产生衰减的作用就是电磁屏蔽,电磁屏蔽作用的大小用屏蔽效能度量:SE=20lg(E1/E2)dB第2页，共46页，星期日，2025年，2月5日杨继深2002年4月实心材料屏蔽效能的计算入射波场强距离吸收损耗AR1R2SE＝R1＋R2＋A＋B＝R＋A＋BB第3页，共46页，星期日，2025年，2月5日杨继深2002年4月波阻抗的概念波阻抗电场为主E?1/r3H?1/r2磁场为主H?1/r3E?1/r2平面波E?1/rH?1/r377?/2?到观测点距离rE/H?第4页，共46页，星期日，2025年，2月5日杨继深2002年4月吸收损耗的计算t入射电磁波E0剩余电磁波E1E1=E0e-t/?A＝20lg(E0/E1)=20lg(et/?)dB0.37E0?A＝8.69(t/?)dBA=3.34t?f?r?rdB第5页，共46页，星期日，2025年，2月5日杨继深2002年4月趋肤深度举例第6页，共46页，星期日，2025年，2月5日杨继深2002年4月反射损耗R＝20lgZW4Zs反射损耗与波阻抗有关，波阻抗越高，则反射损耗越大。ZS=3.68?10-7?f?r/?r远场：377?近场：取决于源的阻抗同一种材料的阻抗随频率变第7页，共46页，星期日，2025年，2月5日杨继深2002年4月不同电磁波的反射损耗远场:R＝20lg3774Zs4500Zs=屏蔽体阻抗，D=屏蔽体到源的距离（m）f=电磁波的频率（MHz）2DfDfZsZs电场:R＝20lg磁场:R＝20lgdB第8页，共46页，星期日，2025年，2月5日杨继深2002年4月影响反射损耗的因素1500.1k1k10k100k1M10M100M平面波3?108/2?rfR(dB)r=30m电场r=1m靠近辐射源r=30m磁场r=1m靠近辐射源第9页，共46页，星期日，2025年，2月5日杨继深2002年4月综合屏蔽效能(0.5mm铝板)150250平面波00.1k1k10k100k1M10M高频时电磁波种类的影响很小电场波r=0.5m磁场波r=0.5m屏蔽效能（dB）频率第10页，共46页，星期日，2025年，2月5日杨继深2002年4月多次反射修正因子的计算电磁波在屏蔽体内多次反射，会引起附加的电磁泄漏，因此要对前面的计算进行修正。B=20lg